DME914C10R（松下半导体，晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式，SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号: DME914C10R

制造厂家名称: Panasonic Electronic Components（松下半导体）

功能总体简述: TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6

系列: -

晶体管类型: 1 NPN 预偏压式，1 PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V，12V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 47k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: 300MHz

功率 - 最大值: 125mW

安装类型: 表面贴装

产品封装: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: SSMini6-F3-B

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基本参数：

电子零件型号：DME914C10R

原始制造厂商：松下半导体（Nuvoton）

技术标准参数：TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6

产品应用分类：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

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